Ocenění za výzkum heterostruktur diamant/GaN

Ing. Tibor Ižák, Ph.D, postdoktorand, získal ocenění v soutěži o nejlepší prezentaci mladých výzkumníků (Best Young Researcher Contribution Content) na mezinárodní konferenci o tenkých vrstvách, površích a rozhraních (Solid State Surfaces and Interfaces, SSSI), která se konala od 21. do 24. listopadu v Piešťanoch na Slovensku. Letošní ročník se sestával z 26 zvaných přednášek (z celkového počtu 31) a 27 posterů. Příspěvek s názvem “Diamond/GaN heterostructures: Stress evaluation from top- and cross-sectional Raman measurements ” je výsledkem spolupráce kolektivu autorů z Diamantové laboratoře Fyzikálního ústavu AV ČR, v. v. i. v Praze (skupina Dr. A. Kromky) a Elektrotechnického ústavu Slovenské Akademie Věd v Bratislavě (skupina Dr. G. Vanka).